第277章 EUV光刻機與DUV光刻機！(第1/2 頁)

當然，此時的絕大部分記者們並不知道如果想要生產90奈米和65奈米晶片。

其實不一定需要採用第5代浸沒式光刻機技術，直接研發採用第四代的ArF乾式光刻機技術也行。

因為第四代的ArF乾式光刻機的光源波長是193nm，這193nm光源波長理論上最高是能生產65奈米晶片的。

但做事不能考慮到短期，還要考慮到長期乃至更長期的未來發展線路。

第5代浸沒式光刻機技術是個神奇的技術，這技術在去年2003年10月才正式研發完成並推出第一代光刻機產品。

此時這第5代浸沒式光刻機雖然已經有了許多技術專利牆在前，但還沒有形成如同前世一樣絕對無法突破的技術專利銅牆鐵壁。

此時的曙光科技還有著繞過阿思麥與臺積店諸多浸沒式光刻機技術專利牆的可能，所以能入局還是提前入局得好。

否則等阿思麥與臺積店在浸沒式光刻機上註冊的專利越來越多，然後徹底成為絕對無法突破的銅牆鐵壁，那曙光科技就徹底失去了第五代浸沒式光刻機技術的研發可能。

雖然就算失去了第五代浸沒式光刻機也似乎可以去直接研發第六代EUV光刻機，但這EUV光刻機實際相當於一個全新領域了。

EUV光刻機採用的是13.5nm的極紫外線（EUV）光源，能加工7奈米以下的晶片，理論上直接上馬第六代EUV光刻機更好。

但實際EUV光刻機這東西想要落地並不容易，當前全球各大公司研發第六代EUV光刻機已經有幾年的時間了。

但按照前世歷史，真正能商用的首臺商用量產EUV光刻機還是在2019年，也就是說用了整整二十餘年才研發完成第六代EUV光刻機！

所以此時直接上馬EUV光刻機不是不行，但並不符合當前時代的晶片生產需求，想要出結果也並不容易。

人家西方研發了二十餘年才讓EUV光刻機落地量產，此時曙光科技想要用一兩年時間讓EUV光刻機落地這怎麼可能。

在這其中林晨如果知道前世EUV光刻機是怎麼獲得突破的也罷了，知道正確研發方向後肯定能快速出結果。

但問題是林晨前世並沒有深入瞭解學習過光刻機的技術知識，也不知道前世阿思麥公司是如何解決EUV光刻機的諸多技術難題。

在這種情況下曙光科技如果真的研發EUV光刻機，那難度相當之大，幾年的時間內都可能出不了結果。

所以曙光科技才會想著研發更容易出結果的第五代浸沒式光刻機，而不是研發實際幾年內都有可能落地不了的第六代EUV光刻機。

當然最重要的原因是第五代浸沒式光刻機實際已經夠用了，第五代浸沒式光刻機技術理論上最高能生產7奈米的晶片。

這7奈米的晶片是真正的7奈米的晶片柵極長度，並不是前世那樣號稱7奈米晶片，實際卻是修改演算法自欺欺人搞營銷的7奈米晶片。

在前世製程工藝虛標最誇張的就是三惺的製程工藝，他們曾經用新演算法將10奈米制程工藝定義為7奈米制程工藝。

結果前世的稿通公司還真信了，直接大喜的讓三惺為稿通生產7奈米手機晶片。

結果假的終究是假的，“稿通大火龍處理器”之名傳遍了全球，直接讓稿通手機處理器的市場份額迎來重大的跌幅萎縮。

而被三惺坑慘的稿通公司自然就是臉色一黑，稿通掌門人更是公開宣佈從此不再找三惺代工晶片。

也就從此開始，三惺在半導體代工行業迎來了毀滅式打擊一從此蹶不振。

所以在這種情況下，最高能生產7奈米晶片的第五代浸沒式光刻機實際已經夠用了。